PC鲜辣报：美光放弃4F2 DRAM路线 FSR 4.1更新支持老显卡

发布时间：2026-11-05 00:39:05 来源：豪车解析病虫害防治_全网精选汇总 作者：百科

AMD新一代APU工程样品现身、鲜辣新支显FSR 4.1扩大兼容范围，报美技嘉Z990系列主板曝光、光放R更影驰推出双电源接口RTX 5080显卡。持老存储领域，鲜辣新支显美光放弃4F2 DRAM路线，报美也为内存技术的光放R更演进方向带来了新讨论。

【PChome PC鲜辣报20261026期】上周，持老硬件行业值得关注的鲜辣新支显消息既有下一代平台的新品线索，也有现有产品的报美技术更新。AMD新一代APU工程样品现身、光放R更FSR 4.1扩大兼容范围，持老技嘉Z990系列主板曝光以及影驰推出双电源接口RTX 5080显卡。鲜辣新支显存储领域，报美美光放弃4F² DRAM路线，光放R更也为内存技术的演进方向带来了新讨论。

·AMD Zen 6 APU工程样品现身，24GB内存引发掌机关注

近日，AMD一款尚未发布的APU工程样品出现在OpenBenchmarking测试记录中，引发了外界对下一代游戏掌机处理器的关注。Tom’s Hardware报道称，这颗芯片可能属于传闻中的Gainsborough系列，采用6核12线程设计，记录中的CPU运行频率为2.4GHz，并搭配24GB LPDDR5内存，内存速率为9600 MT/s。

由于Valve现有Steam Deck采用AMD定制APU，因此这颗芯片很可能会用于未来的Steam Deck或其他游戏掌机。对于游戏掌机而言，处理器的能效、集成GPU性能、内存带宽与容量，以及整机散热和功耗控制，都会直接影响实际游戏表现。24GB内存的配置线索，也让外界开始关注下一代掌机是否会进一步提升系统资源上限。

鲜辣酷评：在当下存储上涨的行情下，24GB内存确实吸睛，但掌机的性能、帧率和成本之间的平衡是门艺术。

另外一条关于AMD的消息也值得关注。AMD于10月20日宣布扩大FSR Upscaling 4.1的支持范围，并通过Adrenalin Edition 26.10.1驱动为Radeon RX 6000系列显卡带来支持。此前，FSR 4最初面向RX 9000系列，随后扩展至RX 7000系列，此次更新进一步覆盖较早一代的RDNA 2显卡。

FSR 4.1还覆盖部分Ryzen AI Max、Ryzen AI 9系列处理器，以及搭载指定Ryzen Z2系列处理器的游戏掌机；Xbox Series X|S也在支持计划中。

AMD同时表示，FSR 4.1帧生成的性能也得到了改进，后续还将扩展Vulkan支持及光线重建功能。

鲜辣酷评：新卡卖性能，老卡靠软件续命，AMD不愧是“战未来”的代言人！

·技嘉Z990主板阵容曝光，剑指Intel下一代桌面平台

据VideoCardz报道，技嘉在欧亚经济联盟数据库中登记了多达数十款Z990主板型号名称，显示出技嘉为下一代Intel Nova Lake-S桌面平台准备了相当丰富的产品阵容。

从产品名单来看，覆盖AORUS XTREME、MASTER、PRO、ELITE、STEALTH，以及面向不同用户群体的EAGLE、DS3H等产品线，同时出现AERO WOOD、AERO DARK WOOD等设计版本。规格形态也很丰富，包括标准ATX、Mini-ITX和Micro-ATX产品。Z990预计采用LGA1954插槽。

鲜辣酷评：主板厂商已经开始为下一代平台排兵布阵，Nova Lake你可不要再延期了！

·影驰发布RTX 5080 HOF Extreme，双供电接口

影驰宣布推出GeForce RTX 5080 HOF Extreme（名人堂Extreme）显卡，最引人注目的设计是配备两个12V-2×6电源接口，这也是首款采用双接口布局的RTX 5080产品。不过，这两个接口并不是要求用户同时连接的双路供电方案，而是为走线提供不同选择：用户可根据机箱布局选择其中一个接口，另一个则可用附带的磁吸盖板遮挡。

在规格方面，该卡采用16GB GDDR7显存、256-bit显存位宽，显存速率为30Gbps，显存带宽为960GB/s。OC模式下整卡功耗上限为400W，Gaming 模式为360W，对应最高加速频率分别为2805MHz和2655MHz。供电部分采用20+4相设计，散热系统则配备三把102mm风扇和一把92mm风扇，并使用大面积均热板与多根热管。

此外，产品还加入施华洛世奇水晶装饰，延续HOF系列偏向高端收藏与个性化装机的定位。据悉，该卡在中国市场的售价为19999元，折合约3000美元，其他地区的供货情况尚未确认。

鲜辣酷评：双接口解决走线，水晶负责吸睛；旗舰显卡很精致也很硬核。

·美光放弃4F2 DRAM路线，内存密度提升技术转向

DRAM存储单元的微缩路线出现新的变化。据悉，美光决定不再推进4F² DRAM架构的后续采用计划。该技术长期被视为提升内存密度的潜在路径之一。按照理论计算，在相同特征尺寸下，4F²单元的占地面积比传统6F²单元减少约三分之一，有望提高单位面积内的存储单元数量。

不过，理论上的单元面积优势，并不意味着整颗DRAM芯片能够实现相同比例的密度提升。美光CTO Scott DeBoer指出，存储电容的尺寸与间距同样决定了实际密度，单纯缩小晶体管占地面积，并不能保证存储单元整体尺寸同步缩小。与此同时，4F²架构还面临额外制造步骤、工艺复杂度和成本增加等问题。综合评估后，美光认为，这一路线的潜在收益不足以抵消相关代价。

在后续规划上，美光将继续推进传统6F² DRAM的工艺微缩，通过缩小电容间距、改进材料、采用先进光刻技术及晶圆键合等手段提高位密度。公司预计，其1δ制程将在2027年下半年进入量产，位密度较前一代提升约20%至30%。

不过，美光放弃该路线不代表整个行业都将如此。有报道指出，三星和SK海力士仍据称保留4F²DRAM 相关规划。这也说明，内存技术竞争并不存在唯一的演进路径，不同厂商仍在权衡工艺复杂度、成本与密度收益。

鲜辣酷评：芯片制造没有捷径，理论上省下三分之一面积，不等于工厂里真能省下三分之一成本。

（图片来源于网络，部分图片使用AI辅助生成）

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